Localized states emission in typeI GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by 上传者：pqh1056 2020-05-15 20:05:09上传 PDF文件 848KB 热度 38次 MBE生长的I型GaAsSb/AlGaAs多量子阱结构及其局域态现象研究，葛啸天，王登魁，本文通过分子束外延技术生长了GaAs0.92Sb0.08/Al0.2Ga0.8As多量子阱结构，并对该样品进行了变温和变激发光致发光(PL)光谱测试。从测试结果� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
