硅衬底上径向aSi:H(P)/cSi(N)异质结的制备 上传者：hungcn 2020-05-15 00:06:09上传 PDF文件 261.29KB 热度 40次 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备，孙艳平，刘艳红，首先，在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀，再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜，从� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
