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通过光电化学处理改善的InGaN肖特基接触

上传者: 2020-04-24 00:13:34上传 PDF文件 828.56KB 热度 25次
通过光电化学处理改善的InGaN肖特基接触,汤寅,陈敦军,通过引入光电化学处理我们改善了InGaN的肖特基接触。结果表明,肖特基正向电流符合thermionic-fieldemission(TFE)模型,并且在室温下经过
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