氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响:第一性原理研究 上传者：lsdsjy 2020-04-22 11:21:17上传 PDF文件 748.72KB 热度 46次 氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响：第一性原理研究，曲晓东，孙立忠，我们用基于平面波赝势的第一性原理方法，通过计算电子结构、电子局域函数和差分电荷，分析了不同形式的H间隙杂质对Ⅱ-Ⅵ族半导体� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
