Ga2O3纳米带的制备和电阻并联特性研究 上传者：PanYHHH 2020-03-21 16:14:33上传 PDF文件 727.82KB 热度 41次 Ga2O3纳米带的制备和电阻并联特性研究，王凯丽，朱慧超，Ga2O3是宽禁带半导体，在蓝、绿色发光二极管和紫外光探测器上都有重要的应用。本文利用高温气象化学沉积法制备了其一维纳米带状结� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
