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Ga2O3纳米带的制备和电阻并联特性研究

上传者: 2020-03-21 16:14:33上传 PDF文件 727.82KB 热度 22次
Ga2O3纳米带的制备和电阻并联特性研究,王凯丽,朱慧超,Ga2O3是宽禁带半导体,在蓝、绿色发光二极管和紫外光探测器上都有重要的应用。本文利用高温气象化学沉积法制备了其一维纳米带状结�
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