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ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展

上传者: 2020-03-02 08:19:24上传 PDF文件 840.58KB 热度 22次
ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展,王颜彬,方铉,ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测�
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