论文研究量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响 .pdf 上传者:u735696828 2019-09-15 06:31:33上传 PDF文件 475.1KB 热度 38次 量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响,林涛,林楠,对于采用AlGaInP/GaInP有源区的670nm波段半导体激光器,可通过量子阱混杂技术制作腔面非吸收窗口来改善其输出光学特性。本文研究了不同 下载地址 用户评论 更多下载