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5缓冲存储区 (BFM) 5.4 缓冲存储区的详细内容 FX3G·FX3UC 用户手册 [模拟量控制篇]

FX3U-4AD/FX3UC-4AD (4通道模拟量输入)

A 通用事项

• B FX3U-4AD

• C FX3U-4AD-ADP

• D FX3G-2AD-BD

• E FX3U-4DA

• F FX3U-4DA-ADP

• G FX3G-1DA-BD

• H FX3U-3A-ADP

• I FX3U-4AD-PT -ADP

• J FX3U-4AD-PTW -ADP

5.4 缓冲存储区的详细内容

5.4.1 [BFM #0] 输入模式的指定

• 初始值 (出厂时): H0000

• 数据的处理: 16进制 (H)

• 指定通道 1～通道 4 的输入模式。输入模式的指定采用 4 位数的 HEX 码，对各位分配各通道的编号。通过在各位中设定 0～8、F 的数值，可以改变输入模式。

输入模式的种类如下表所示：

| 设定值 [HEX] | 输入模式 | 模拟量输入范围 | 数字量输出范围 |

| ------------ | -------- | -------------- | ------------- |

| 0 | 电压输入模式 | -10V～+10V | -32000～+32000 |

| 1 | 电压输入模式 | -10V～+10V | -4000～+4000 |

| 2*1 | 电压输入模拟量值直接显示模式 | -10V～+10V | -10000～+10000 |

| 3 | 电流输入模式 | 4mA～20mA | 0～16000 |

| 4 | 电流输入模式 | 4mA～20mA | 0～4000 |

| 5*1 | 电流输入模拟量值直接显示模式 | 4mA～20mA | 4000～20000 |

| 6 | 电流输入模式 | -20mA～+20mA | -16000～+16000 |

| 7 | 电流输入模式 | -20mA～+20mA | -4000～+4000 |

| 8*1 | 电流输入模拟量值直接显示模式 | -20mA～+20mA | -20000～+20000 |

| 9～E | 不可以设定 | - | - |

| F | 通道不使用 | - | - |

注意事项

1. 输入模式设定时的注意事项

2. 进行输入模式设定 (变更) 后，模拟量输入特性会自动变更。通过改变偏置/增益值，可以用特有的值设定特性 (分辨率不变)。

3. 指定为模拟量值直接显示 (*1) 时，不能改变偏置/增益值。

4. 输入模式的指定需要约 5 秒钟。改变了输入模式时，请设计经过 5 秒以上的时间后，再执行各设定的写入。

5. 不能设定所有的 ch (通道) 都不使用 (HFFFF)。

6. EEPROM 写入时的注意事项

7. 如果向 BFM #0、#19、#21、#22、#125～#129 以及 #198 中写入设定值，则是执行向 4AD 内的 EEPROM 写入数据。

8. EEPROM 的允许写入次数在 1 万次以下，所以请不要编写向每个运算周期或者高频率地向这些 BFM 写入数据这样的程序。

想要深入了解输入输出缓冲区的具体应用？你可以参考输入输出缓冲区，以及第15讲模拟量输入存储区跟我学。如果你对键盘输入缓冲区的问题有疑问，点击这里。更多关于新IO缓冲区的输入和输出的信息，也可以在此处找到。

有兴趣了解更多编译原理词法分析和输入缓冲双缓冲区方案？请点击编译原理词法分析一输入缓冲双缓冲区方案。关于字节输入流的缓冲区的API，也有详细的信息。